A IBM explora cobre magnetismo para o desenvolvimento de "atômicas módulos de memória"
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Cada inovação, em qualquer área começa com a pesquisa básica, que estabelecem as bases para futuras invenções. Já agora se torna claro que a mídia moderna forma de existir, como aconteceu outrora com os disquetes e перфокартами. Algumas empresas (por exemplo, ) ativo conduzirão pesquisa sobre a criação de DNA de memória, mas decidi ir por outro caminho e iniciar o desenvolvimento de unidades, em que os portadores de informação irá atuar, os átomos de cobre.
Segundo a publicação Nature Nanotechnology, a divisão de pesquisa da IBM envolvidos vêm e vão no setor de cobre do magnetismo. Geralmente, como é sabido, em condições normais de cobre não tem propriedades magnéticas, mas ao estudo de cientistas da IBM Christopher Lutz e Kai Young demonstrou que eles podem controlar o magnetismo do kernel de um único átomo, usando ядерно-ressonância magnética e de varredura microscópio de tunelamento.
"Nós estamos realizando uma pesquisa básica na área de nanotecnologia. É a primeira vez que podemos ver o átomo e movê-lo, usando o microscópio de tunelamento de varredura. Nós aprendemos a controlar magnético estado do kernel."
O Principal pré-requisito para o surgimento de cobre magnetismo — o isolamento de um único átomo de cobre vizinhos, o que nos permite fazer uma varredura microscópio de tunelamento. Como explicou o dr. Lutz,
"É um processo de duas etapas. Em primeiro lugar, precisamos alinhar o átomo, para não apontar em direções aleatórias. Para isso, utilizamos as ondas de rádio provenientes de ponta afiada de metal da agulha. As ondas de rádio são configurados precisamente em sua própria freqüência do núcleo. Na segunda fase, temos acesso ao núcleo de choque da ponta."
Esquemática de uma imagem do magnetismo nuclear de um átomo de cobre
Além disso, os cientistas afirmam que o átomo de cobre tem 4 diferentes quânticos de estado, e isso significa que eles podem conseguir, e não simplesmente "атомарная memória", mas também a memória de um novo tipo. Por exemplo, agora, essa magnética memória, como MRAM (магниторезистивная memória ram) armazena os dados somente através de 2 estados.
"No dispositivo com dois estados magnética orientação nos dá a unidade, ou zero. Aqui temos a célula de cem mil vezes menor, mas com muito mais opções. Nossos passos seguintes irão consistir na criação de matrizes magnéticos dos átomos de cobre. Nós já começamos a praticar a montagem de átomos."
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